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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是由雙極晶體管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的復(fù)合徹底受控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器材，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝保護(hù)便利、散熱穩(wěn)定的特色。市場(chǎng)上出售的大多數(shù)模塊化產(chǎn)品都是此類產(chǎn)品。一般來(lái)說(shuō)，IGBT也指IGBT模塊。 IGBT是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)闹行脑O(shè)備，俗稱電力電子設(shè)備。作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，已廣泛使用于軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，電動(dòng)汽車和新能源設(shè)備中，并隨著節(jié)能環(huán)保概念共同發(fā)展，這樣的產(chǎn)品在市場(chǎng)上將會(huì)越來(lái)越被看到。

假如在將IGBT芯片銜接至其散熱器的焊猜中存在一組三個(gè)小空地，并且這些空地互相靠近，則將避免熱量敏捷從器材下方區(qū)域發(fā)出。隨著時(shí)間的消逝，間隙上方的區(qū)域可能會(huì)過(guò)熱，并且芯片可能會(huì)發(fā)生電氣毛病，從而導(dǎo)致體系呈現(xiàn)毛病。

由于IGBT通常用于高壓和高功率使用，因而其發(fā)生的毛病既昂貴又危險(xiǎn)。在IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺點(diǎn)有機(jī)會(huì)發(fā)生毛病之前找到它們是有意義的。

從制作工藝的角度來(lái)看，IGBT與普通半導(dǎo)體產(chǎn)品相同。產(chǎn)業(yè)鏈包含規(guī)劃，制作，封裝和測(cè)試。國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT領(lǐng)域工藝基礎(chǔ)薄弱且產(chǎn)業(yè)化起步較晚，在規(guī)劃、測(cè)試以及封裝等中心技術(shù)方面還積累不夠。

X-ray能夠?qū)GBT進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)成像，射線能夠穿透IGBT模塊的散熱片來(lái)完成有用檢測(cè)，經(jīng)過(guò)穿透射線的衰減從而觀察出圖像的局部差異。

X-ray檢測(cè)設(shè)備能夠大批量檢測(cè)IGBT模塊。IGBT是混合動(dòng)力汽車中最常見的，但它也可用于傳統(tǒng)汽車的發(fā)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。 IGBT會(huì)發(fā)出很多熱量。假如任何結(jié)構(gòu)反常（例如空地或未粘合）會(huì)攪擾散熱途徑，則可能會(huì)因過(guò)熱而失效。

        X-ray檢測(cè)的最大優(yōu)勢(shì)在于檢測(cè)結(jié)果直觀，經(jīng)過(guò)圖像展示IGBT內(nèi)部的缺點(diǎn)，軟件自動(dòng)識(shí)別判定更是提高了X-ray檢測(cè)的準(zhǔn)確率，降低了人工的誤判率，在IGBT出產(chǎn)制作過(guò)程中既確保了產(chǎn)品質(zhì)量又在研發(fā)規(guī)劃階段供給了可靠的改善依據(jù)。X-Ray檢測(cè)設(shè)備采用X射線透射原理對(duì)IGBT模塊進(jìn)行檢測(cè)，不需要額外成本，檢測(cè)快捷而準(zhǔn)確。X-ray檢測(cè)的產(chǎn)品有很多，日聯(lián)科技X-ray檢測(cè)具有高清圖像和分析缺陷的功能，備受業(yè)內(nèi)好評(píng)，日聯(lián)科技的AX系列半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備，在IGBT檢測(cè)方面表現(xiàn)優(yōu)秀，是不錯(cuò)的選擇。